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        skhynix是什么牌子?海力士公司怎么樣?海力士公司發(fā)展歷程

        2023-04-10 14:37:43 來源:中國創(chuàng)新網(wǎng)

        SK hynix(簡稱:SK)海力士公司是韓國一家生產(chǎn)以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導(dǎo)體供應(yīng)商,是全球第二大內(nèi)存芯片制造商,僅次于三星電子之后,也是世界第五大半導(dǎo)體公司,總部位于韓國利川。前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社,1996年正式在韓國上市,1999年收購LG半導(dǎo)體,2001年從現(xiàn)代集團(tuán)分離出來,更名為(株)海力士半導(dǎo)體,2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務(wù)出售給花旗集團(tuán),成為專業(yè)的存儲器制造商,2012年2月韓國第三大財閥SK集團(tuán)宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠,更名為SK hynix。

        蘋果公司在一些iMac,MacBook和MacBook Pro電腦上使用海力士內(nèi)存。谷歌自有品牌Nexus7平板電腦,OEM供應(yīng)商IBM System x服務(wù)器,臺式PC,華碩的Eee PC都使用海力士內(nèi)存。戴爾和惠普也采用海力士內(nèi)存作為OEM設(shè)備。使用海力士存儲器的產(chǎn)品包括:DVD播放器,蜂窩電話,機(jī)頂盒,個人數(shù)字助理,聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和硬盤驅(qū)動器等。


        (相關(guān)資料圖)

        截止2019年7月,股價為80400韓元,約66美元,總市值52萬億韓元,約430多億美元,世界500強排名第363位。

        二、發(fā)展歷程

        ■ 1983.02,創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會社;

        ■ 1996.12,公司股票在韓國上市;

        ■ 1999.10,合并LG半導(dǎo)體,成立現(xiàn)代半導(dǎo)體株式會社;

        ■ 2001.03,公司更名為(株)海力士半導(dǎo)體;

        ■ 2001.08,完成與現(xiàn)代集團(tuán)的最終剝離;

        ■ 2003.04,宣布與ST Microelectronics公司簽定合作生產(chǎn)NAND閃存的協(xié)議;

        ■ 2003.12,宣布與茂德科技簽署長期的戰(zhàn)略性MOU;

        ■ 2004.07,獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤;

        ■ 2005.07,提前終止企業(yè)重組完善協(xié)議;

        ■ 2006.10,海力士-意法半導(dǎo)體竣工(無錫工廠);

        ■ 2007.04,在韓國清州動土建造300mm fab;

        ■ 2007.03,任命Jong-Kap Kim作為新會長及執(zhí)行總裁;

        ■ 2007.12,成功發(fā)行約6億美元大規(guī)模海外債券;

        ■ 2008.05,宣布與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約;

        ■ 2008.08,清州300mm專用第3工場竣工;

        ■ 2009.02,成功開發(fā)世界頂尖44nm DDR3 DRAM;

        ■ 2010.06,中國海太半導(dǎo)體封裝測試項目竣工;

        ■ 2010.09,入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展世界指數(shù);

        ■ 2011.07,與東芝簽署MRAM聯(lián)合開發(fā)協(xié)議;

        ■ 2012.02,SK電訊收購海力士;

        ■ 2012.05,公司名稱正式變更為SK海力士株式會社;

        ■ 2012.06,清州建立M12工廠;

        ■ 2012.06,收購 Ideaflash S.r.l , 于歐洲建立閃存研發(fā)中心;

        ■ 2012.06,與IBM簽署聯(lián)合開發(fā)PCRAM的協(xié)議;

        ■ 2013.02,任命Park Sung Wook為新任CEO;

        ■ 2013.06,與Rambus簽署了專利許可協(xié)議;

        ■ 2013.07,與三星電子簽署了交叉許可協(xié)議;

        ■ 2014.05,與Violin Memory的PCle Card部門合并;

        ■ 2014.06,與Softeq Development FLLC的固件部門合并;

        ■ 2014.09,于中國四川省重慶市建立后端線;

        ■ 2014.12,與東芝簽署了聯(lián)合開發(fā)納米壓印光刻諒解備忘錄;

        ■ 2015.08,利川M14竣工;

        ■ 2016.12,公開在忠清北道青州市建立晶圓廠的計劃;

        ■ 2017.04,開發(fā)72層3D NAND閃存。

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